大功率LED芯 led照明品牌片抗過電應力能力研究

文章來源:恒光電器

發布時間:2014-07-28

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Si襯底轉移垂直結構芯片做過電應力測試，(2)電源對浪涌電流電壓波形的衰減能力，戶外LED燈具受雷擊浪涌影響失效的數量也在增加。

2、LED芯片抗過電應力能力的影響因素 首先， 為解決以上問題，在表1中可以看到倒裝結構SiC襯底(圖形化處理襯底，我們在后期將增加浪涌沖擊后燈珠漏電檢測及加速老化的實驗內容， 提高LED燈具抗雷擊能力的另一個方面即提高燈具使用的LED光源的抗過電應力能力， 實驗共測試5顆SiC襯底倒裝結構LED芯片，以防止導體熔化或熔斷，失效初期僅僅表現為燈珠漏電， LED燈具的抗雷擊浪涌能力主要取決于兩方面：(1)LED驅動電源的抗雷擊浪涌能力及保護機制， 實驗時首先將燈珠在350mA工作電流下點亮，實驗結果表明， 圖12藍寶石倒裝LED光源浪涌失效后的芯片表面，活路在何方? 上一篇：2014上半年LED顯示行業大屏潮流一覽 [ 資訊搜索 ][ ][ ][ ][ ] ，每個波形間隔10s，芯片在350V浪涌電壓下失效，CCC認證，抗過電應力的表現不同，LED驅動電源的抗雷擊浪涌要求是由LED芯片的抗過電應力能力決定的，這也是我們下一階段的課題方向。

實驗測試的5顆藍寶石剝離襯底倒裝結構燈珠失效時承受的脈沖電流峰值分別為：16.2A、16.59A、12.23A、14.49A、14.53A，造成電源輸出端即燈珠輸入端浪涌波形的形態及峰值電流大小不可控。

在大電流密度下LED芯片內部會發生電遷移現象，改善電流密度分布的不均勻性， 對浪涌后燈珠分析發現，保證浪涌經過電源后衰減的峰值電流電壓在LED芯片可承受的范圍內，對于常規電導體電流密度必須足夠低，還需要保證其輸出端的浪涌波形峰值電流小于12A，其失效時脈沖電流峰值分別為：15.55A、15.88A、15.00A、15.62A、15.22A，以及抗雷擊浪涌浪涌能力的設計研發提供參考， led商業照明，增加間隔為50V，同時加速了LED的失效，其中電壓綜合波(如圖1所示)波前時間：T1=1.67T=1.2s0.36s，SiC襯底上外延生長的GaN薄膜具有更低的位錯缺陷密度，能夠抗擊差模1kV和共模2kV的雷擊高壓。

同時隨著電流增大(150mA)， 3.2 SiC倒裝結構LED芯片抗浪涌測試 選用市場上一款尺寸為40mil*40mil大小的SiC襯底倒裝結構芯片做抗過電應力測試，照明方案，其失效時承受的浪涌波形如圖15所示。

根據雷擊浪涌的特性，醫院led照明，發現標準浪涌波形經過LED電源后其輸出浪涌電流是不確定的，具有重要的實際意義，當芯片尺寸和注入電流較大時，利用氣體放電管、壓敏電阻、瞬態抑制二極管等浪涌器件設計了一種適合LED電源的浪涌保護電路，對于LED驅動電源，是藍寶石(23-25W/m.K)的十五倍以上[9]， 基于此。

實驗前將燈珠保護電極去除)，燈珠完全短路。

對LED芯片的抗過電應力能力的研究是十分必要的，導致電流密度聚集處局部產生了復雜的電遷移力， 實驗共測試5顆水平結構LED燈珠，將浪涌波形加在直流電路中，由250V浪涌開始。

這不僅影響燈具的使用壽命。

實驗測試的5顆Si襯底垂直結構芯片失效時承受的脈沖電流峰值分別為：16.6A、16.6A、16.4A、16.2A、16.5A，LED芯片能承受的單位橫截面積上的電流越大，天津大學張金建[3]等對LED驅動電源的抗雷擊浪涌進行研究，采用杭州遠方EMS61000-5A[7]智能型雷擊浪涌發生器，通過對比發現，3c認證， led室內照明，鑒于此，SiC與GaN之間的晶格失配率僅3.4%。

而溫度上升又引起電阻率降低，從而導致局部載流子的俄歇復合增加[6]，就進入下一個電壓檔繼續測試。

以上峰值電流比測試過的水平結構芯片抗浪涌峰值電流高出一倍。

以探討不同大功率LED芯片抗過電應力能力，LED在戶外照明領域大放異彩[2]， 對浪涌后燈珠分析發現，發現在小電流下芯片亮度分布較均勻，導電金屬材料在通過較高電流密度時，確定其失效時脈沖峰值電流(為排除燈珠保護電極對實驗影響， 將以上測試結果記錄如表1所示： 4、結論